2ED2108S06F
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2108S06F

650 V、0.7 A 半桥栅极驱动器，集成自举二极管，采用 DSO-8 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

2ED2108S06F
2ED2108S06F
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • 产品名称
    2ED2108S06F
  • 关断传播延迟
    200 ns
  • 开通传播延迟
    200 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.7 A
  • 输出电流 (Source)
    0.29 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half-Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED2108S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650 V 半桥高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，采用 DSO-8 封装，典型值为 0.29 拉电流和 0.7 灌电流。还提供用于更大爬电距离的 DSO-14 封装：2ED21084S06J。基于英飞凌的 SOI 技术，具有出色的坚固性和对 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 最大电源电压 25 V
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • 200 ns 传播延迟
  • 内部 540 ns 死区时间
  • HIN、/LIN 逻辑输入
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 –11 V
  • Neg.输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

图表

Block_2ED2108S06F
Block_2ED2108S06F
Block_2ED2108S06F Block_2ED2108S06F Block_2ED2108S06F
×
modalImg
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区