2EDF5215G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2EDF5215G

快速、稳定、双通道、高侧隔离栅极驱动器，具有精确、稳定的时序和高电流输出
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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2EDF5215G
2EDF5215G
数据手册


商品详情

  • 关断传播延迟 范围
    30 ns 至 46 ns
  • 关断传播延迟
    36 ns
  • 封装
    VDSON-8
  • 开通传播延迟 范围
    33 ns 至 47 ns
  • 开通传播延迟
    38 ns
  • 拓扑结构
    Half-Bridge, High-side and low-side
  • 电压等级
    250 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    High-Side Galvanic isolation - Functional

推荐的
OPN
2EDF5215GXTMA1 2EDF5215GXUMA1
产品状态 active and preferred discontinued
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
PG-VDSON-8
封装名 N/A N/A
封装尺寸 5000 5000
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 1
防潮封装 NON DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
TH
-
晶圆产地
DE
-

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
DE

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地 -
晶圆产地 -
这些产品专为驱动低侧和高侧 MOSFET 而设计，具有强大的输出级、较低的部件间偏差和快速的信号传播，非常适合用于快速开关电源系统。输出与最大 4 ns 传播延迟相匹配，从而可以在半桥中使用较低的死区时间，并在对角驱动中实现完美同步。

特性

  • 250 V 高侧和低侧栅极驱动器
  • -250 V 负 HS 瞬态抗扰度
  • 100 V/ns dV/dt 鲁棒性
  • 5 A / 9 A 拉/灌电流能力
  • +9 ns /-5 ns 延迟精度
  • 最大延迟匹配为 4 ns
  • 1.2UVLO 中的 V 输出钳位阈值
  • <2 μs 快速启动时间

产品优势

  • 高端通道隔离
  • 灵活：独立渠道
  • 对地面噪声的鲁棒性
  • 出色的信号同步
  • 高开关频率下可靠
  • 系统启动时的安全操作
  • 引导供应中的优化运行

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区