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符合RoHS标准
无铅

2EDL8033F5B

120 V 启动 3 A 高侧和低侧结隔离栅极驱动器
数据手册
封装
每件.
有存货

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2EDL8033F5B
2EDL8033F5B
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    6.7 V
  • VBS UVLO (On)
    7.3 V
  • 关断传播延迟
    33 ns
  • 开通传播延迟
    33 ns
  • 电压等级
    120 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    8 V to 17 V
  • 输出电流 (Sink)
    6 A
  • 输出电流 (Source)
    3 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
2EDL8033F5BXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
2EDL8033F5B 设计用于 半桥配置 中的高端和低端 MOSFET 。浮动高端驱动器能够驱动高达 120 V 自举电压的高端 MOSFET 并提供 3 A 电流能力。高端偏置电压是使用集成自举二极管产生的。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，可以承受从 -10 V 到 20 V 的输入共模摆幅。

特性

  • 3 A 拉电流 / 6 A 灌电流
  • 绝对最大启动电压 120 V
  • 集成自举二极管
  • -10 V 至 20 V 输入引脚能力
  • -5 A 输出引脚反向电流电容。
  • HS 上最大绝对负电压为 -12 V
  • 8-17 V 电源电压工作范围
  • 高端和低端均具有 UVLO
  • 快速传播延迟（<35 纳秒）
  • 2 ns 典型延迟匹配
  • 在 DSO-8 中提供
  • 工作结温：-40ºC 至 125ºC

产品优势

  • 一流的驾驶能力
  • 强大的 3 A 拉电流/灌电流能力
  • 强 6 A 下拉（无诱导开启）
  • 紧密的传播延迟匹配
  • DSO-8 封装，行业标准引脚排列
  • 集成自举二极管

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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