2EDL8124G3C
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2EDL8124G3C

120 V 高压侧和低压侧 2EDL8124G3C EiceDRIVER ™
数据手册
封装

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2EDL8124G3C
2EDL8124G3C
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO
    5.75 V
  • VCC UVLO
    7 V
  • 关断传播延迟
    45 ns
  • 封装
    PG-VSON-10
  • 开通传播延迟
    45 ns
  • 电压等级
    120 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    8 V 至 17 V
  • 输出电流 (Sink)
    6 A, 5 A
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side, High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
2EDL8124G3CXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2EDL8124G3C 是一款高端和低端驱动器，专为电信和数据通信应用等高级开关转换器而设计。它采用具有内置滞后的差分输入来增强抗噪能力。2EDL8XXX 系列所有变体的共同特点是集成的 120 V 自举二极管以及精确的通道间传播延迟匹配（典型值为 2 ns），可确保伏秒平衡并避免磁芯饱和。

特性

  • 差分输入具有卓越的稳健性，并具有固有的直通保护
  • 适用于高压侧和低压侧驱动器的 4 A 拉电流能力
  • 强大的 5 A 高压侧/6 A 低压侧灌电流能力
  • 片上自举二极管
  • 快速开关频率
  • 低死区损耗
  • -8 V/+15 V 共模抑制
  • 小型 3 mm x 3 mm SON 封装
  • 符合 RoHS 标准的无铅封装

产品优势

  • 高功率密度
  • 高效率
  • MOSFET 可靠性高
  • 高效率
  • 运行稳定
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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