现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

5962F1123501VXC

数据手册
封装

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5962F1123501VXC
5962F1123501VXC
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • 工作电压
    3 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    3878.7 mg
  • 速度
    12 ns
推荐的
OPN
5962F1123501VXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 FAST 4-Mbit 异步静态 RAM 采用英飞凌专利的RADSTOP™技术设计，非常适合太空以及其他恶劣环境应用。 4-Mbit FAST SRAM 是一种高性能、低功耗 SRAM，存储组织结构为 512 千字 × 8 位。

特性

  • 512-Kbit x8 总线宽度配置
  • 12 ns (125°C) 访问时间
  • 3.3V 工作电压
  • 55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 采用比特交错技术消除多位错误
  • 低活动功耗
  • 低 CMOS 待机功耗
  • 2.0V 数据保留
  • 取消选择时自动关机
  • 36-pin陶瓷扁平封装 (CFP)
  • 符合MIL-PRF 38535标准
  • QML-V合格

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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