AIDW10S65C5

数据手册

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AIDW10S65C5
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数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    58 A
  • IF max
    10 A
  • IR
    1.7 µA
  • Ptot max
    65.2 W
  • QC
    15 nC
  • RthJC
    1.78 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    TO-247
  • Qualification
    Automotive
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
第五代 CoolSiC ™汽车肖特基二极管体现了英飞凌先进的碳化硅肖特基势垒二极管技术。其紧凑的设计和基于薄晶圆的技术可在所有负载条件下提供更高的效率，并具有卓越的热特性和较低的品质因数（Qc x Vf）。作为英飞凌 IGBT 和 CoolMOS ™产品组合的补充，它可以满足 650V 电压等级的苛刻应用要求。

特性

  • 革命性的半导体材料 - 碳化硅
  • 标杆开关行为
  • 无反向恢复/无正向恢复
  • 与温度无关的开关行为
  • 高浪涌电流能力
  • 无铅镀铅；符合 RoHS 标准
  • 结温范围：-40°C 至 175°C
  • 系统效率高于硅二极管
  • 由于冷却要求降低，节省系统成本/尺寸
  • 实现更高频率/更高功率密度的解决方案
  • 由于工作温度较低，系统可靠性更高
  • 降低 EMI

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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