不建议用于新设计
符合RoHS标准

AIGB40N65F5

采用小型 SMD 封装的世界一流低成本电源，适用于快速开关应用
数据手册
封装

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AIGB40N65F5
AIGB40N65F5
数据手册

商品详情

  • Eon
    0.39 mJ
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • Ptot max
    250 W
  • QGate
    90 nC
  • td(off)
    166 ns
  • td(on)
    22 ns
  • tf
    6 ns
  • tr
    13 ns
  • VCE max
    650 V
  • VCE
    1.6 V
  • Reflow Solderable
    Yes
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Switching Frequency
    15-120 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • Launch year
    2019
  • Voltage Class max
    650 V
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Type
    IGBT
OPN
AIGB40N65F5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK (TO-263-3)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 650V TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 技术提高了电动和混合动力汽车的效率。其 IGBT 技术可最大限度地减少损耗，最大限度地提高车载充电器、PFC 和 DC/AC 等应用的效率。这将延长电动汽车的行驶里程或缩小电动汽车电池的尺寸，并降低混合动力汽车的燃料消耗。TRENCHSTOP ™ 5 AUTO 提供了一种比 MOSFET 更经济的替代方案，而 D²PAK 等 SMD 外壳则降低了系统成本并增强了质量控制。

特性

  • 采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术
  • 650V 击穿电压，40A 标称电流
  • 极快的开关速度（高达 150kHz）
  • 符合汽车标准
  • 最高结温 175 °C
  • 最高效率，低传导损耗
  • 极低的开关损耗
  • 极低的结温和外壳温度
  • SMD D2PAK 封装，组装成本低
  • 极其坚固耐用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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