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符合RoHS标准
无铅

AIKQ200N75CP2

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每件.
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AIKQ200N75CP2
AIKQ200N75CP2
每件.
数据手册

商品详情

  • Eon
    15.3 mJ
  • IC (@ 25°) max
    200 A
  • IC (@ 100°) max
    200 A
  • ICpuls max
    600 A
  • IF max
    200 A
  • IFpuls max
    600 A
  • Irrm
    41 A
  • Ptot max
    1071 W
  • QGate
    1256 nC
  • Qrr
    4700 nC
  • td(off)
    266 ns
  • td(on)
    89 ns
  • tf
    46 ns
  • tr
    120 ns
  • VCE(sat)
    1.3 V
  • VCE max
    750 V
  • VF
    1.8 V
  • Co-pack diode technology
    EMCON3
  • Reflow Solderable
    No
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    7kHz - 15kHz
  • Technology
    EDT2
  • Launch year
    2022
  • Voltage Class max
    750 V
  • Type
    IGBT + Diode
  • Currently planned availability until at least
    2033
受到推崇的
OPN
AIKQ200N75CP2XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO-247-3
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO-247-3
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
汽车 AIKQ200N75CP2 是一款采用 750V EDT 技术的高性能 IGBT，可实现高效冷却，电池电压高达 470V。其严格的参数分布和正热系数使得灵活且可扩展的电力系统可以轻松并联。凭借 200A 电流，它是采用 TO247PLUS 封装的同类最佳 IGBT，可减少器件数量、提高功率密度并降低成本。

特性

  • VCE = 750 V
  • 750 V 集电极-发射极阻断电压
  • 平滑的开关特性
  • 低 VCE(sat)，ICnom = 200 A 时为 1.30 V
  • 短路耐受性
  • 非常紧密的参数分布
  • 快速软接收发射极控制 3 二极管
  • 符合 AEC-Q101 要求
  • 提高应用中的 OV 裕度
  • 减少所需的并联器件数量
  • 简单的栅极驱动设计

产品优势

  • 基准质量和开关性能 470V Vdc
  • 高 CreepDist 满足 ATV V 要求 470V Vdc
  • 极其坚固，满足任务要求
  • 高开关频率 -> 更少的开关损耗
  • 并联->=prod 适用于不同的功率等级

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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