现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMBG120R010M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
数据手册
封装

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AIMBG120R010M1
AIMBG120R010M1
数据手册

商品详情

  • Ciss
    5703 pF
  • Coss
    268 pF
  • ID (@25°C) max
    205 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    882 W
  • QG
    178 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.7 mΩ
  • RthJC max
    0.17 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • 封装
    TO-263-7
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMBG120R010M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特性

  • RDS (on) 3 mΩ 典型值
  • 适用于 24 V 和 48 V 电网
  • 负载突降稳定性高达 70 V
  • 兼容起动脉冲
  • 集成诊断功能
  • 集成保护功能
  • 过流保护
  • 过载保护
  • 过热保护
  • 过功率保护
  • 低待机电流 7 µA
  • AEC-Q100 认证

产品优势

  • 可靠的电力分配
  • PRO-SIL ™符合 ISO 26262 标准
  • 精确的电流感应
  • 支持长线
  • 非常适合有限的电路板空间
  • 无引线电源封装

图表

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