现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMCQ120R020M1T

汽车级 CoolSiC ™ MOSFET 1200 V，Q-DPAK（HDSOP-22-3），19 mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMCQ120R020M1T
AIMCQ120R020M1T
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    116 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    19 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • Package
    PG-HDSOP-22
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
AIMCQ120R020M1TXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 Q-DPAK 封装的 CoolSiC ™汽车 MOSFET 1200 V 专为满足 800V 汽车架构的 OBC/DC-DC 应用而设计。利用顶部冷却 (TSC) 技术，它可以为客户提供出色的热性能、更容易的组装和降低的系统成本。与背面冷却相比，TSC 提供了优化的 PCB 组装，从而消除了寄生效应并提供更低的杂散电感。

特性

  • 0V 关断
  • 爬电距离 4.8mm
  • 对称引线布局
  • .XT 技术

产品优势

  • 更低的封装寄生效应
  • 更低的开关损耗
  • 简化设计
  • 优化 PCB 组装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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