现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMCQ120R030M1T

汽车级 CoolSiC ™ MOSFET 1200 V，Q-DPAK（HDSOP-22-3），30 mΩ
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AIMCQ120R030M1T
AIMCQ120R030M1T
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    78 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • Package
    PG-HDSOP-22
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Launch year
    2024
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
AIMCQ120R030M1TXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 Q-DPAK 封装的 CoolSiC ™汽车 MOSFET 1200 V 专为满足 800V 汽车架构的 OBC/DC-DC 应用而设计。利用顶部冷却 (TSC) 技术，它可以为客户提供出色的热性能、更容易的组装和降低的系统成本。与背面冷却相比，TSC 提供了优化的 PCB 组装，从而消除了寄生效应并提供更低的杂散电感。

特性

  • 0V 关断
  • 爬电距离 4.8mm
  • 对称引线布局
  • .XT 技术

产品优势

  • 更低的封装寄生效应
  • 更低的开关损耗
  • 简化设计
  • 优化 PCB 组装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }