在产
符合RoHS标准

AUIRLR3110Z

100 V、N沟道、14 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、TO252-3、沟槽MOSFET
数据手册
封装

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AUIRLR3110Z
AUIRLR3110Z
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    42 A
  • ID max
    45 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    63 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V) max
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) max
    14 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    16 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    14 mΩ
  • RthJC max
    1.05 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1 V to 2.5 V
  • VGS max
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    Trench Mosfet
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AUIRLR3110ZTRL
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 PG-TO252-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 PG-TO252-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。

特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }