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AUIRLR3110Z
停产
已停产
符合RoHS标准

AUIRLR3110Z

停产
100 V、N沟道、14 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、TO252-3、沟槽MOSFET
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封装
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AUIRLR3110Z
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    42 A
  • 最高 ID
    45 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    63 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    15 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on)
    14 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    16 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    14 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Trench Mosfet
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 质量等级
    Automotive

OPN
AUIRLR3110ZTRL
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 PG-TO252-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 PG-TO252-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,TW
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这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。

特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区