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BFP196W
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP196W

停产
封装

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BFP196W
BFP196W

商品详情

  • Gmax
    19 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    150 mA
  • NFmin
    1.30 dB @900 MHz
  • OIP3
    32 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    19 dBm @900 MHz
  • 最高 VCEO
    12 V
  • 封装
    SOT343
OPN
BFP196WH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
NPN硅射频晶体管

特性

  • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA
  • 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器
  • fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区