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BFP196WN
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP196WN

停产
数据手册
封装

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BFP196WN
BFP196WN
数据手册

商品详情

  • Gmax
    17 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    150 mA
  • NFmin
    1.10 dB @900 MHz
  • OIP3
    32 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    19 dBm @900 MHz
  • 最高 VCEO
    12 V
  • 封装
    SOT343
OPN
BFP196WNH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343-4-1
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343-4-1
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
NPN 硅平面外延晶体管，采用 4 引脚双发射极 SOT343 封装，适用于低噪声和低失真宽带放大器。该射频晶体管受益于英飞凌在射频元件领域的长期经验，结合了易用性和稳定的批量生产，具有基准质量和可靠性。

特性

  • 适用于高压应用，VCE < 12 V
  • 最大功率 Ptot = 700 mW
  • 转换频率 fT = 7.5 GHz
  • 噪声系数 NFmin = 1.3 dB @ 900 MHz
  • 易于使用，无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素行业
  • 带可见引线的标准 SOT343 封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区