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BFP640F
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP640F

停产
数据手册
封装
评估板

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BFP640F
BFP640F
数据手册

商品详情

  • fT
    42 GHz
  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    50 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    27.5 dBm
  • OP1dB
    13.5 dBm
  • Ptot
    200 mW
  • 最高 VCEO
    4.1 V
  • 封装
    TSFP-4
OPN
BFP640FH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
NPN硅锗射频晶体管

特性

  • 高增益低噪声射频晶体管
  • 为各种无线应用提供出色的性能
  • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
  • 出色的噪声系数 F = 0.65 dB (1.8 GHz)，出色的噪声系数 F = 1.2 dB (6 GHz)
  • 高最大稳定增益：Gms = 23 dB (1.8 GHz)
  • 镀金处理，可靠性更高
  • 70 GHz fT-硅锗技术
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区