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无铅

BFP640FESD

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封装
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BFP640FESD
BFP640FESD
数据手册

商品详情

  • fT
    46 GHz
  • Gmax
    29.50 dB @900 MHz
  • IC max
    50 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    26 dBm
  • OP1dB
    11.5 dBm
  • Ptot
    200 mW
  • VCEO max
    4.1 V
  • 封装
    TSFP-4
OPN
BFP640FESDH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFP640FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 针双发射极封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640FESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。

特性

  • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
  • 由于集成了保护电路，因此具有 2 kV ESD 抗扰度 (HBM)
  • 最大射频输入功率高达 21 dBm
  • 1.5 GHz 时最小噪声系数典型值为 0.6 dB，2.4 GHz 时为 0.65 dB，6 mA
  • 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 28.5 dB，2.4 GHz 时为 25 dB，30 mA
  • 2.4 GHz 时 OIP3 典型值为 26 dBm，30 mA
  • 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在制品设计（参见第 6 章）
  • 薄、小、扁平、无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）封装，引脚可见

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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