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BFP650
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP650

停产
数据手册
封装

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BFP650
BFP650
数据手册

商品详情

  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    150 mA
  • NFmin
    0.80 dB @900 MHz
  • OIP3
    31 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    17 dBm @900 MHz
  • 最高 VCEO
    4 V
  • 封装
    SOT343
OPN
BFP650H6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管

特性

  • 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
  • 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统）
  • 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统）
  • 最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz）
  • 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz）
  • 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术
  • 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }