请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
BFP650F
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP650F

停产
数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BFP650F
BFP650F
数据手册

商品详情

  • Gmax
    21.50 dB @1800 MHz
  • 最高 IC
    150 mA
  • NFmin
    0.80 dB @1800 MHz
  • OIP3
    31 dBm @1800 MHz
  • OP1dB
    17.50 dBm @1800 MHz
  • 最高 VCEO
    4 V
  • 封装
    TSFP-4
OPN
BFP650FH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
NPN硅锗射频晶体管

特性

  • 适用于中等功率放大器和驱动级
  • 高 OIP3 和 P-1dB
  • 非常适合低相位噪声振荡器
  • Maxim。可用增益 Gma = 21.5 dB @ 1.8 GHz
  • 噪声系数 F = 0.8 dB @ 1.8 GHz
  • 70 GHz fT- 硅锗技术
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区