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无铅

BFP740FESD

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封装
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BFP740FESD
BFP740FESD
数据手册

商品详情

  • fT
    47 GHz
  • Gmax
    29.50 dB @900 MHz
  • IC max
    45 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3 (@900 MHz)
    24 dBm
  • OP1dB (@900 MHz)
    10 dBm
  • Ptot
    160 mW
  • VCEO max
    4.2 V
  • Package
    TSFP-4
OPN
BFP740FESDH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFP740FESD 是一款硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能

特性

  • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
  • NFmin = 0.6 dB (2.4 GHz 时) 和 0.8 dB (5.5 GHz 时)，3V，6 mA
  • 高增益 Gms = 26 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 20.5 dB (5.5 GHz 时)，3V，25 mA
  • OIP3 = 23.5 dBm (5.5 GHz 时)，25 mA
  • 薄型小尺寸无引线封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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