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BFP840ESD
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFP840ESD

停产
数据手册
封装

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BFP840ESD
BFP840ESD
数据手册

商品详情

  • fT
    80 GHz
  • Gmax
    27 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    35 mA
  • NFmin
    0.60 dB @900 MHz
  • OIP3
    21 dBm
  • OP1dB
    4.5 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • 最高 VCEO
    2.25 V
OPN
BFP840ESDH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。

特性

  • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
  • 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
  • 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区