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BFR193W
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无铅

BFR193W

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封装
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BFR193W
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商品详情

  • Gmax
    16 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    80 mA
  • NFmin
    1 dB @900 MHz
  • OIP3
    30 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    13 dBm @900 MHz
  • 最高 VCEO
    12 V
  • 封装
    SOT323

OPN
BFR193WH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT323
封装名 SOT-323
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT323
封装名 SOT-323
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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NPN硅射频晶体管

特性

  • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
  • 适用于线性宽带放大器
  • fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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