请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
BFR840L3RHESD
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFR840L3RHESD

停产
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BFR840L3RHESD
BFR840L3RHESD
数据手册

商品详情

  • fT
    75 GHz
  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    35 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    17 dBm
  • OP1dB
    4 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • 最高 VCEO
    2.25 V
OPN
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSLP-3-9
封装名 N/A
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSLP-3-9
封装名 -
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFR840L3RHESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。

特性

  • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
  • 高转换频率 fT = 75 GHz，可在高频下实现最佳的噪声性能：Nfmin = 0.65 dB（5.5 GHz 时），1.1 dB（12 GHz 时），1.8 V，10 mA
  • 高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz 时），1.8 V，10 mA
  • OIP3 = 18 dBm（5.5 GHz 时），1.8 V，10 mA
  • 非常适合低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
  • 薄型、小尺寸无引线封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区