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BFR843EL3
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BFR843EL3

停产

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BFR843EL3
BFR843EL3

商品详情

  • fT
    80 GHz
  • Gmax
    24 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    55 mA
  • NFmin
    0.95 dB @900 MHz
  • OIP3
    21 dBm
  • Ptot
    125 mW
  • 最高 VCEO
    2.25 V
  • 封装
    TSLP-3-10
OPN
BFR843EL3E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFR843EL3 是一款低噪声双频段预匹配放大器,采用 TSLP 薄型封装,适用于高速、低功耗应用。

特性

  • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合:20 dBm 最大 RF 输入功率和 1 kV HBM ESD 硬度
  • 高转换频率可在高频下实现最佳的噪声性能:NFmin = 1 dB(2.4 GHz、1.8 V、8 mA 时)和 1.15 dB(5.5 GHz、1.8 V、8 mA 时)
  • 高增益 Gms = 24 dB(2.4 GHz、1.8 V、15 mA 时)和 21.5 dB(5.5 GHz、1.8 V、15 mA 时)
  • OIP3 = 20.5 dBm(2.4 GHz、1.8 V、15 mA 时)和 20.5 dBm(5.5 GHz、1.8 V、15 mA 时)
  • 适用于低压应用,例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻)
  • 薄型、小尺寸无引线封装

应用

文档

设计资源

开发者社区