现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BGA7H1N6

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA7H1N6
BGA7H1N6
每件.
数据手册

商品详情

  • I
    4.8 mA
  • IIP3
    6 dBm
  • NF
    0.65 dB
  • P-1dB (in)
    -1 dBm
  • VCC 操作
    1.5 V to 3.3 V
  • 增益
    12.5 dB
  • 频率
    2300 - 2690 MHz
推荐的
OPN
BGA7H1N6E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
用于LTE的硅锗低噪声放大器

特性

  • 插入功率增益：12.5 dB
  • 低噪声系数：0.60 dB
  • 低电流消耗：4.7 mA
  • 工作频率：2300 - 2690 MHz
  • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
  • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
  • 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
  • B7HF 硅锗技术
  • 射频输出内部匹配至 50 Ω
  • 仅需 1 个外部 SMD 元件
  • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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