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符合RoHS标准
无铅

BGS12P2L6

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGS12P2L6
BGS12P2L6
每件.
数据手册

商品详情

  • Pmax max
    38 dBm
  • Supply Voltage
    1.65 - 3.4 V
  • Switch Type
    SPDT
  • Control Interface
    GPIO
  • Insertion Loss (@1GHz)
    0.25 dB
  • Isolation (@1GHz)
    45 dB
  • Frequency Range
    0.05 - 6.0 GHz
受到推崇的
OPN
BGS12P2L6E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
TSLP-6-4
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSLP-6-4
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGS12P2L6 是一款通用高功率 SPDT 开关，旨在覆盖 0.05 至 6 GHz 的广泛应用，因此非常适合 5G sub-6 GHz。其出色的射频性能优化了LTE/5G手机的发射路径（TRx）。该芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的单引脚 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。 BGS12P2L6 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 0.7 x 1.1 mm2，最大高度为 0.31 mm。

特性

  • RF CMOS SPDT 射频开关，功率处理能力高达 37 dBm
  • 适用于多模 LTE 和 5G 应用
  • 低插入损耗和谐波产生
  • 0.05 至 6 GHz 覆盖范围
  • 高端口间隔离
  • 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容
  • 片上控制逻辑
  • 无铅无卤素封装 TSLP-6-4
  • 尺寸：0.7 x 1.1 mm2，厚度为 0.31 mm
  • 无需电源去耦
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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