不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

BGSX24MU16

大功率DP4T十字开关

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BGSX24MU16
BGSX24MU16

商品详情

  • 尺寸
    2.0 x 2.0 mm²
  • 开关器件类型
    DP4T
  • 控制接口
    MIPI
  • 频率范围
    0.1 - 5.0 GHz
OPN
BGSX24MU16E6327XTSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGSX24MU16 RF CMOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 四天线应用而设计。该 DP4T 具有低插入损耗和低谐波产生。该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。 该开关具有直接连接电池的功能和无直流射频端口。与 GaAs 技术不同,仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口处使用外部直流阻断电容器。BGSX24MU16 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造,具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性,包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小,仅为 2.0 x 2.0 mm2,最大厚度为 0.59 毫米。

特性

  • RF CMOS DP4T 天线交叉开关,功率处理能力高达 36.5 dBm
  • 适用于多模 LTE 和 WCDMA 四天线应用
  • 低插入损耗和谐波产生
  • 0.1 至 5.0 GHz 频率覆盖
  • 高端口间隔离
  • 如果 RF 线路上未施加直流电,则无需阻塞电容
  • 集成 MIPI RFFE 接口,工作电压范围为 1.65 至 1.95V
  • 软件可编程 MIPI RFFE USID
  • 无铅无卤素封装 PG-ULGA-16-1,横向尺寸为 2.0 mm x 2.0 mm,厚度为 0.59 mm
  • 无需电源去耦
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

文档

设计资源

开发者社区

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