现货,推荐
符合RoHS标准

BSC152N15LS5

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 是一款高度坚固的 SiC MOSFET,可实现系统性能和可靠性的最佳组合
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BSC152N15LS5
BSC152N15LS5
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    55 A
  • QG (typ @4.5V)
    12.2 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    20 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    15.2 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.61
OPN
BSC152N15LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 逻辑电平功率 MOSFET 150 V 系列提供与 OptiMOS ™ 5 150 V 产品相同的出色性能,并且能够在 VGS = 4.5 V 下运行。 BSC152N15LS5 具有 15.2/20 mOhm(VGS = 10 V/4.5 V)的超低 RDS(on) 和 12.2 nC(VGS = 4.5 V)的超低 Qg,采用行业标准 SuperSO8 封装,可为小型轻量级 USB-PD EPR 充电器和适配器应用提供最佳热管理。

特性

  • 具有竞争力的 RDS(on) 水平
  • 极低的开关损耗
  • 针对 VGS = 4.5 V 进行了全面优化
  • 针对提供 5 V 的 SR 量身定制

产品优势

  • 高效设计
  • 当 VGS
  • 改进热管理
  • 降低系统复杂性

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }