BSC152N15LS5
现货，推荐
符合RoHS标准

BSC152N15LS5

150 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平驱动
数据手册

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BSC152N15LS5
BSC152N15LS5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    55 A
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • QG (typ @4.5V)
    12.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    15.2 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    20 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    1.3 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    0.58
推荐的
OPN
BSC152N15LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 逻辑电平功率 MOSFET 150 V 系列提供与 OptiMOS ™ 5 150 V 产品相同的出色性能，并且能够在 VGS = 4.5 V 下运行。 BSC152N15LS5 具有 15.2/20 mOhm（VGS = 10 V/4.5 V）的超低 RDS(on) 和 12.2 nC（VGS = 4.5 V）的超低 Qg，采用行业标准 SuperSO8 封装，可为小型轻量级 USB-PD EPR 充电器和适配器应用提供最佳热管理。

特性

  • 具有竞争力的 RDS(on) 水平
  • 极低的开关损耗
  • 针对 VGS = 4.5 V 进行了全面优化
  • 针对提供 5 V 的 SR 量身定制

产品优势

  • 高效设计
  • 当 VGS
  • 改进热管理
  • 降低系统复杂性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区