BSC155N06ND
现货，推荐
符合RoHS标准

BSC155N06ND

OptiMOS™ 功率 MOSFET
数据手册
封装
评估板

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BSC155N06ND
BSC155N06ND
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    42 A
  • 最高 ID (@25°C)
    42 A
  • 最高 IDpuls
    168 A
  • 最高 Ptot
    50 W
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    15.5 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N+N
  • 预算价格€/1k
    0.38
推荐的
OPN
BSC155N06NDATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 双 Super SO8 封装，功率密度高（占用空间最小）
  • 优异的耐热性
  • 最高工作温度可达 175°C
  • 由于 Qgd/Qgs<0.8
  • ，具有较高的抗击穿能力
  • 无铅电镀，符合 RoHS 规定
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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