现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

BSL207SP

P沟道增强型场效应晶体管 (FET),-20 V,TSOP-6

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BSL207SP
BSL207SP

商品详情

  • Ciss
    1007 pF
  • Coss
    410 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    6 A
  • 最高 IDpuls
    -24 A
  • 最高 Ptot
    2 W
  • 最高 QG (typ @4.5V)
    13.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@2.5V)
    65 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    41 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    41 mΩ
  • 最高 RthJA
    230 K/W
  • 最高 VDS
    -20 V
  • VGS(th) 范围
    -0.6 V 至 -1.2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Small Power
  • 预算价格€/1k
    0.18
OPN
BSL207SPH6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 超级逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准,无卤素
  • 符合汽车标准
  • 可进行 PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on),效率高
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

文档

设计资源

开发者社区

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