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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSP716N

停产
采用 SOT-223 封装的 75 V N 沟道小信号 MOSFET
数据手册
封装
评估板

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BSP716N
BSP716N
数据手册

商品详情

  • Ciss
    237 pF
  • Coss
    41 pF
  • ID max
    2.3 A
  • IDpuls max
    9.2 A
  • Ptot max
    1.8 W
  • QG (typ @10V)
    8.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    160 mΩ
  • RthJA max
    110 K/W
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    0.8 V to 1.8 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SOT-223
  • Operating Temperature min
    -55 °C
  • Pin Count
    4 Pins
  • Polarity
    N
  • Mode
    Enhancement
  • Special Features
    Small Power
OPN
BSP716NH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准，不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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