BSR606N

采用 SC59 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 60 V

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BSR606N
BSR606N

商品详情

  • Ciss
    494 pF
  • Coss
    131 pF
  • ID max
    2.3 A
  • IDpuls max
    9.1 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG
    3.7 nC
  • RDS (on) max
    60 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    90 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    90 mΩ
  • RthJA max
    250 K/W
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.3 V to 2.3 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SC59
  • Operating Temperature min
    -55 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Mode
    Enhancement
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力,这些组件非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准,不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }