BSZ120P03NS3E G

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英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。
数据手册

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BSZ120P03NS3E G
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商品详情

  • Ciss
    2240 pF
  • Coss
    1090 pF
  • 最高 ID
    -40 A
  • 最高 IDpuls
    -160 A
  • 最高 Ptot
    52 W
  • QG
    30 nC
  • 最高 RDS (on)
    12 mΩ
  • Rth
    2.4 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -3.1 V 至 -1.9 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区