现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BTS3410G

采用智能 SIPMOS 技术的 N 通道垂直功率 FET。受到嵌入式保护功能的全面保护。
数据手册
封装

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BTS3410G
BTS3410G
数据手册

商品详情

  • EAS/雪崩能量
    150 mJ
  • EAS (Energy capability)
    150 mJ
  • ID(lim) min
    5 A
  • ID
    1.3 A
  • IL(nom)
    1.3 A
  • IL (Short Circuit Current)
    5 A
  • Ptot max
    0.8 W
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) max
    480 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • toff (Turn OFF time) max
    100 µs
  • ton (Turn ON time) max
    100 µs
  • VDS max
    42 V
  • 保护策略
    Auto-restart
  • 分类
    -
  • 安装
    SMT
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 控制接口
    Discrete
  • 推荐工作电压 max
    42 V
  • 每个通道的额定负载电流
    1.3 A
  • 目前计划的可用性至少到
    2039
  • 系列
    Classic HITFET™ 12V
  • 诊断
    -
  • 负载电流
    1.3 A
  • 通道数
    2
推荐的
OPN
BTS3410GXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SO-8
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SO-8
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 逻辑电平输入
  • 输入保护 (ESD)
  • 热关断自动重启
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 过载保护
  • 短路保护
  • 过压保护
  • 电流限制
  • 可进行模拟驱动

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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