CY14B104LA-BA45XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B104LA-BA45XI

封装

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CY14B104LA-BA45XI
CY14B104LA-BA45XI

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14B104LA-BA45XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 299
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 299
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B104LA-BA45XI 是一款 4 Mbit nvSRAM (512K × 8)，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合，可实现即时数据保持。它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 -40°C 至 +85°C，并支持 45 ns 访问/存取。 AutoStore 使用外部 VCAP 电容器在掉电时保存 SRAM 内容，同时 STORE/RECALL 也可以通过软件命令或 HSB 引脚启动。 数据保存期为 20 年，STORE循环次数为 100 万次。

特性

  • 4-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过乘方向上或软件召回
  • 通过软件或硬件存储
  • 量子阱非易失性元素
  • 2.7V 至 3.6V 单电源
  • 工作温度-40°C至+85°C
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K 非易失性存储操作
  • VCAP 外部电容 61–180 µF
  • VSWITCH 低电平 V 触发 2.65 V
  • 存储持续时间 tSTORE 最大 8 毫秒

产品优势

  • 类似 SRAM 的即时访问时间
  • 无需固件实现掉电保存
  • 上电后可快速恢复
  • 灵活的保存控制选项
  • NVM可靠性高于EEPROM
  • 适用于稳压3V电源轨
  • 在严苛温度下稳定运行
  • 长保持时间可保护配置数据
  • 高耐久度支持频繁保存
  • 小电容即可实现无电池备份的保存
  • 可预测的欠压保存触发点
  • STORE 时间短，减少停机时间
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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