现货,推荐
符合RoHS标准

CY14B104LA-ZS45XIT

每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B104LA-ZS45XIT
CY14B104LA-ZS45XIT
每件.

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B104LA-ZS45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B104LA-ZS45XIT是一款4 Mbit nvSRAM(512K×8),将高速SRAM与QuantumTrap非易失单元集成,实现断电自动数据备份。单电源2.7 V至3.6 V,-40°C至85°C工作。支持掉电AutoStore,VCAP电容61 µF至180 µF;提供1,000 K次STORE和20年数据保持。44引脚TSOP II,45 ns访问,并支持软件或引脚STORE/RECALL。

特性

  • 4 Mbit nvSRAM,SRAM接口
  • 掉电自动STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 软件或引脚触发STORE
  • QuantumTrap非易失单元
  • 2.7 V到3.6 V单电源
  • 工作温度-40°C到+85°C
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE 1,000 K次
  • VCAP电容61–180 µF
  • 低压触发VSWITCH=2.65 V
  • STORE时间tSTORE≤8 ms

产品优势

  • 保持SRAM级即时访问
  • 掉电保存无需固件
  • 上电快速恢复数据
  • 保存控制方式更灵活
  • 可靠性优于EEPROM
  • 适配3 V稳压电源
  • 严苛温度下稳定工作
  • 长期保持保护配置
  • 支持频繁保存场景
  • 小电容实现免电池保存
  • 可预测的掉电触发保存
  • STORE时间短减少停机

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }