CY14E101Q2A-SXI

数据手册

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CY14E101Q2A-SXI
CY14E101Q2A-SXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E101Q2A-SXI是一款1 Mbit（128K × 8）串行（SPI）nvSRAM，将SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。支持掉电自动STORE与上电RECALL，并可通过SPI指令进行软件STORE/RECALL。器件工作电压4.5 V至5.5 V，温度-40至85°C，SPI时钟最高104 MHz，集成8字节序列号、器件ID、睡眠模式及WP写保护。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128K×8
  • QuantumTrap非易失单元
  • 掉电自动STORE（部分）
  • SPI指令STORE/RECALL
  • HSB引脚硬件STORE
  • 上电RECALL恢复SRAM
  • SPI时钟最高104 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 可读写8字节序列号
  • 厂家ID和产品ID
  • WP引脚硬件写保护
  • 分块保护:1/4,1/2,全阵列

产品优势

  • SRAM速度读写
  • 断电后数据仍保留
  • AutoStore降低断电丢失
  • SPI命令简化固件控制
  • HSB实现事件触发保存
  • 上电RECALL加快重启
  • 104 MHz SPI加速传输
  • 模式0/3兼容更多MCU
  • 序列号便于追溯
  • 器件ID便于自动识别
  • WP减少误写风险
  • 分块保护关键数据

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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