CY14V101PS-SF108XI

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数据手册

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CY14V101PS-SF108XI
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数据手册

商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14V101PS-SF108XI 是一款 1 Mbit (128K × 8) quad SPI nvSRAM，带有集成实时时钟。它支持 SPI/DPI/QPI，时钟频率为 108 MHz，读写速度高达 54 MBps。数据存储在 SRAM 中，电源复位时自动存储到 SONOS 非易失性单元，上电时自动RECALL； 1,000K 存储耐久性和 85°C 下 20 年保留。 工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 Vcore和 1.71 V 至 2.0 V VI/O。

特性

  • 108 MHz QPI 时钟频率
  • SPI/DPI/QPI 单/双/四路 I/O
  • 支持 SPI 模式 0 和 3
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 乘方向上自动调用
  • 软件和 HSB 存储/召回
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • 在 85°C 下可保存 20 年
  • 睡眠电流 380 µA（85°C 时）
  • 休眠电流为 8 µA，温度为 85°C
  • 磁芯电路供电电压 2.7 V 至 3.6 V
  • RTC 备用电流在 VRTCBAT 时最大为 1 µA

产品优势

  • 108 MHz 实现高吞吐量
  • 多 I/O 提高了带宽
  • 轻松兼容SPI主控
  • 掉电时保存 SRAM 数据
  • 启动时恢复系统状态
  • 灵活的NV保存/恢复控制
  • 支持频繁保存的高耐久性
  • 长期数据存储可靠性高
  • 睡眠模式降低待机功耗
  • 休眠模式延长电池续航
  • 适配 3.3 V 内核电源轨
  • RTC 备份电池耗电低

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区