CY14V101PS-SF108XI

数据手册

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CY14V101PS-SF108XI
CY14V101PS-SF108XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14V101PS-SF108XI为1 Mbit（128K×8）四线SPI nvSRAM，集成实时时钟。支持SPI/DPI/QPI，时钟108 MHz，读写最高54 MBps。数据先写入SRAM，掉电自动STORE到SONOS非易失单元，上电RECALL恢复；STORE耐久度1,000K次、85°C数据保持20年。电源：VCC 2.7 V至3.6 V，VCCQ 1.71 V至2.0 V。

特性

  • QPI时钟频率108 MHz
  • SPI/DPI/QPI单/双/四线
  • 支持SPI模式0和3
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • 上电自动RECALL
  • 软件和HSB触发存取
  • 非易失STORE 1,000 K次
  • 85°C数据保持20年
  • 85°C睡眠电流380 µA
  • 85°C休眠电流8 µA
  • 内核VCC 2.7 V到3.6 V
  • RTC备份电流最大1 µA

产品优势

  • 108 MHz实现高吞吐率
  • 多I/O提升总线带宽
  • 易于兼容SPI主控
  • 断电自动保存SRAM数据
  • 上电恢复系统状态
  • 灵活控制数据存取
  • 支持频繁保存不易磨损
  • 长期可靠保存关键数据
  • 睡眠模式降低待机功耗
  • 休眠模式延长电池寿命
  • 适配3.3 V系统电源
  • RTC备份耗电低更耐用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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