CY14V116G7-BZ30XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V116G7-BZ30XI

数据手册
封装

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CY14V116G7-BZ30XI
CY14V116G7-BZ30XI
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    30 ns

推荐的
OPN
CY14V116G7-BZ30XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY14V116G7-BZ30XI是一款 16 Mbit nvSRAM，将 SRAM 与 SONOS 非易失性元件相结合，通过符合 ONFI 1.0 的异步 NAND 接口进行存取。 它支持 x16 数据 I/O，每个 I/O 的性能高达 33 MT/s，访问时间为 30 ns。 无需手动操作的自动存储功能，掉电和软件或上电 RECALL 功能可在 85°C 下保护数据 20 年，并可进行 1,000,000 次存储循环，采用 165 球 FBGA 封装。

特性

  • 16 Mbit nvSRAM（SRAM + SONOS）
  • ONFI 1.0 异步 NAND 接口
  • x8 或 x16 数据通路
  • 每个 I/O 33 MT/s，最高可达 528 Mbps
  • 30 纳秒访问时间 (I/O)
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 软件或 HSB 硬件商店
  • 乘方向上调用至 SRAM
  • 注册状态（通过/失败，WP）
  • 85°C下保存20年
  • 1,000,000 次非易失性存储循环
  • 电路供电电压 2.7-3.6 V； VCCQ 1.70-1.95V

产品优势

  • SRAM 速度的读写
  • 可直接兼容NAND 风格的主机接口
  • x16 选项可提高带宽
  • 528 Mbps 实现快速传输
  • 30 ns 降低读延迟
  • AutoStore 掉电保护数据
  • 支持硬件/软件 STORE，便于系统控制
  • RECALL 上电恢复数据
  • 状态位简化监控
  • 20 年数据保持确保数据安全
  • 1M次 STORE 循环支持频繁更新
  • 分离电源轨便于电平转换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区