现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102Q-SXE

可靠的 2048kBit SPI FRAM，频率为 20MHz，符合汽车 (E) 资格，工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B102Q-SXE
CY15B102Q-SXE
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    2 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 125 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    SPI
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Organization (X x Y)
    256Kb x 8
  • Qualification
    Automotive(E)
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    20 MHz
受到推崇的
OPN
CY15B102Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
了解 CY15B102Q 2 Mbit F-RAM，它可提供 121 年的数据保留和总线速度下的高速写入操作。它具有强大的写入耐久性并支持 1013 次读/写循环，为需要频繁或快速写入的应用提供了可靠、高效的解决方案，消除了与其他非易失性存储器相关的复杂性。

特性

  • 高耐用性，10 万亿 (1013) 次读/写
  • 数据保留 121 年
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 完善的写保护方案
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
  • 符合 AEC Q100 1 级标准
  • 符合有害物质限制指令 (RoHS)

产品优势

  • 适合频繁或快速写入
  • 适用于关键写入周期应用
  • 无缝替换 EEPROM/闪存
  • 高速 SPI 总线利用率
  • 只读设备 ID（仅供参考）

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }