现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102Q-SXE

可靠的 2048kBit SPI FRAM，频率为 20MHz，符合汽车 (E) 资格，工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B102Q-SXE
CY15B102Q-SXE
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
CY15B102Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B102Q-SXE是一款2-Mbit（256 K × 8）汽车级串行F-RAM，具备10万亿次读写耐久性和121年数据保持（85°C）。工作电压2.0 V至3.6 V，支持SPI总线最高25 MHz。无写入延迟，低功耗（5 mA工作，750 μA待机，20 μA睡眠），适用于汽车和工业系统的高频快速写入应用。硬件和软件写保护，符合AEC-Q100 Grade 1，确保高可靠性。

特性

  • 2-Mbit非易失性F-RAM，256 K×8结构
  • 10万亿(10¹³)次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保存
  • NoDelay™写入，类RAM速度
  • SPI接口最高25 MHz
  • 低功耗：5 mA工作，750 μA待机，20 μA休眠
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 先进硬件/软件写保护
  • 软件块保护(1/4、1/2、全阵列)
  • Device ID便于识别
  • 支持SPI模式0和3
  • 工作温度：–40°C至+125°C

产品优势

  • 即时写入无等待
  • 10¹³次循环适合频繁记录
  • 121年数据安全无忧
  • 低功耗延长电池寿命
  • SPI 25 MHz实现高速传输
  • 宽电压适应多样设计
  • 写保护防止误操作
  • 块保护保障关键数据
  • Device ID便于追溯管理
  • 兼容SPI闪存/EEPROM
  • –40°C至+125°C高可靠
  • 直接替换简化设计

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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