CY15B102QN-50SXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102QN-50SXET

2Mb 3.3V 汽车级(E) 50MHz SPI EXCELON ™ F-RAM，8 引脚 SOIC 封装
数据手册
封装

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CY15B102QN-50SXET
CY15B102QN-50SXET
数据手册


商品详情

  • Frequency
    50 MHz
  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B102QN-50SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B102QN-50SXET是一款2Mb EXCELON™ Auto铁电RAM（F-RAM），具备瞬时非易失存储、10万亿次读写耐久性和121年数据保持能力。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，支持最高50 MHz SPI，符合AEC-Q100 Grade 1汽车级可靠性。典型工作电流为3.7 mA（40 MHz），待机电流低至2.7 µA。适用于高频写入的汽车和工业应用。

特性

  • 2Mb铁电随机存取存储器
  • 10^13次读写耐久
  • 121年数据保持（85°C）
  • 即时非易失性写入技术
  • SPI接口高达50 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 专用256字节特殊区
  • 设备与唯一序列号ID
  • 低功耗：3.7 mA工作，2.7 µA待机
  • 深度掉电1.1 µA，休眠0.1 µA
  • 输入/输出漏电流±5 µA
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 10^13次循环适合频繁数据记录
  • 121年数据保持保障数据安全
  • 无写入延迟，数据即时存储
  • 50 MHz SPI实现高速传输
  • 硬件/软件保护防止数据丢失
  • 特殊区耐回流焊
  • 唯一ID便于设备追踪
  • 低功耗延长系统寿命
  • 深度掉电降低待机损耗
  • 休眠模式节能
  • 宽温度适应恶劣环境
  • 关键系统可靠运行
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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