CY15B104Q-SXIT
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

CY15B104Q-SXIT

数据手册
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B104Q-SXIT
CY15B104Q-SXIT
视图替换
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    4096 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

OPN
CY15B104Q-SXIT
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
视图替换
CY15B104Q-SXIT是一款4-Mbit（512 K × 8）串行F-RAM存储器，采用SPI接口，支持最高40 MHz操作。具备100万亿次读写耐久性、65°C下151年数据保持和NoDelay™即时写入。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，低工作（0.3 mA/1 MHz）、待机（100 μA）、休眠（3 μA）电流。硬件/软件写保护、可直接替换串行闪存/EEPROM及RoHS合规，适用于数据记录和工业控制等高频写入场合。

特性

  • 4-Mbit非易失性F-RAM，512 K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 硬件和软件写保护
  • 低功耗：0.3 mA工作，3 μA休眠
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 设备ID含厂商和产品信息

产品优势

  • 可靠存储频繁数据采集
  • 消除断电导致数据丢失
  • 无写入延迟，数据即时更新
  • 高速SPI便于集成
  • 易于替换串行闪存/EEPROM
  • 灵活保护关键数据
  • 待机/休眠降低能耗
  • 适应恶劣工业环境
  • 确保产品寿命长
  • 简化设备识别
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区