CY15B104QN-50SXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B104QN-50SXAT

封装

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CY15B104QN-50SXAT
CY15B104QN-50SXAT

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15B104QN-50SXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B104QN-50SXAT是一款用于汽车系统的4Mb EXCELON™ Auto铁电RAM（F-RAM），具备非易失性存储、100万亿次读写循环和151年数据保持能力。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，支持最高50 MHz SPI，具备先进写保护。低功耗模式包括待机和深度掉电。符合AEC-Q100 Grade 3认证，采用8引脚SOIC封装，适用于高可靠性汽车应用。

特性

  • 4Mb铁电RAM，512K×8结构
  • 近乎无限耐久：10¹⁴次循环
  • 60°C下151年数据保持
  • 即时非易失写入无延迟
  • 最高50 MHz SPI接口
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件和软件写保护
  • 专用256字节特殊扇区
  • 设备与唯一序列号ID
  • 有源电流：1 MHz时0.4 mA，40 MHz时3.7 mA
  • 待机电流：典型2.7 µA
  • 深度掉电：典型1.1 µA

产品优势

  • 可靠频繁数据记录
  • 消除写入延迟实时应用
  • 151年数据安全无忧
  • 10¹⁴次循环寿命远超EEPROM/闪存
  • 50 MHz SPI实现高速传输
  • 灵活SPI模式便于集成
  • 写保护防止误操作
  • 特殊扇区耐回流焊
  • 唯一ID便于追溯
  • 低功耗节能
  • 深度掉电延长电池寿命
  • 休眠模式极低功耗
文档

设计资源

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