现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B204QSN-108SXE

4Mb 3.0V 汽车级 108MHz QSPI EXCELON ™ F-RAM，8 引脚 SOIC
数据手册
封装

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CY15B204QSN-108SXE
CY15B204QSN-108SXE
数据手册

商品详情

  • Density
    4 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    QSPI
  • Family
    EXCELON™
  • Organization (X x Y)
    512Kb x 8
  • Qualification
    Automotive(E)
  • Frequency
    108 MHz
受到推崇的
OPN
CY15B204QSN108SXEXLMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 1880
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 1880
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EXCELON ™ Auto F-RAM CY15B204QSN-108SXE 是一款高性能、符合 AEC-Q100 标准的 4 Mbit 非易失性存储器，专为高可靠性汽车应用而设计，支持高达 +125°C 的温度。配备高速、低引脚数 QSPI 接口，可提供高达 432 Mbits/s 的读/写带宽。与串行闪存不同，它以总线速度执行写入操作，确保没有写入延迟并提供几乎无限的写入耐久性。

特性

  • 4 Mbit F-RAM，组织为 512K × 8
  • 10 万亿 (10 13) 次读/写循环
  • 即时非波动性
  • 108 MHz 四路 SPI 总线 (SDR)
  • 工作电压：1.8V至3.6V
  • +85°C 下数据可保存 121 年
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C
  • 就地执行 (XIP)
  • 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
  • 符合 ISO-26262 FuSa 标准

产品优势

  • 断电时立即捕获数据
  • 实现 432 Mbits/s 的数据吞吐量
  • 在系统生命周期内持续记录数据
  • 在恶劣条件下可靠运行
  • 保留关键数据 100 多年
  • 避免损耗均衡固件开销
  • 生成符合 FuSa 标准的系统
  • 采用符合 AEC-Q100 标准的存储器进行设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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