现货，推荐
符合RoHS标准

CY15V102QN-50LHXIT

数据手册
封装

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CY15V102QN-50LHXIT
CY15V102QN-50LHXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 工作电压 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15V102QN-50LHXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15V102QN-50LHXIT是一款2Mb EXCELON™ LP铁电随机存取存储器（F-RAM），采用SPI接口，256K × 8组织结构，8引脚DFN封装。工作电压1.71 V至1.89 V，工业级温度范围–40°C至+85°C。具备10^15次读写循环、60°C下151年数据保存能力、50 MHz高速无延迟写入。低功耗、先进写保护和专用特殊区，适用于工业控制和关键数据记录。

特性

  • 2Mb铁电RAM，256K×8结构
  • 10^15次读写耐久
  • 151年数据保存（60°C）
  • 即时非易失性写入无延迟
  • SPI接口最高50 MHz，支持0/3模式
  • 硬件/软件高级写保护
  • 专用256字节特殊区F-RAM
  • 唯一设备ID和序列号
  • 有源电流2.4 mA（40 MHz）
  • 待机电流2.3 µA，深电源0.7 µA
  • 休眠模式0.1 µA典型
  • 输入/输出漏电流最大±1 µA

产品优势

  • 适合频繁/快速数据存储
  • 消除写入延迟提升速度
  • 断电无数据丢失
  • 降低系统功耗
  • 延长便携设备电池寿命
  • 支持高速SPI微控制器
  • 简化设备身份认证
  • 保护关键数据防误写
  • 特殊区耐回流焊
  • 易替换串行EEPROM/闪存
  • 适用于多设备SPI总线
  • 高耐久降低维护成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }