CY62126EV30LL-55ZSXET
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62126EV30LL-55ZSXET

数据手册
封装

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CY62126EV30LL-55ZSXET
CY62126EV30LL-55ZSXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    64K x 16
  • 认证标准
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62126EV30LL-55ZSXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62126EV30LL-55ZSXE是一款1 Mbit（64 K×16）CMOS静态RAM，面向电池供电设计，工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C（Automotive-E）。访问时间55 ns，1 MHz下典型有源电流1.3 mA，地址不切换时自动掉电。待机电流典型1 µA（最大30 µA）。BLE/BHE支持字节写入，提供44引脚TSOP II无铅封装。

特性

  • 1 Mbit SRAM，64K×16组织
  • 45 ns读/写周期时间
  • 2.2 V至3.6 V单电源VCC
  • 1 MHz时典型有源1.3 mA
  • 最大待机电流4 µA
  • 地址不切换时自动省电
  • VCC降至1.5 V可保数
  • 最大保数据电流3 µA
  • BLE/BHE支持字节写入
  • CE/OE/BHE/BLE三态I/O

产品优势

  • 16位总线减少MCU访问次数
  • 45 ns满足高速SRAM接口
  • 2.2–3.6 V适配3 V系统
  • 低有源电流延长续航
  • µA级待机降低休眠耗电
  • 自动省电降低空闲功耗
  • 深度休眠下1.5 V仍保数
  • 低ICCDR减小备电负担
  • 字节写入减少写入能耗
  • 三态I/O便于共享与扩展

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区