CY62136ESL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136ESL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62136ESL-45ZSXI
CY62136ESL-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62136ESL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
US
CY62136ESL-45ZSXI is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS asynchronous SRAM with 45 ns access for processor interface. It operates from 2.2 V to 3.6 V or 4.5 V to 5.5 V over -40°C to 85°C. Active current is 20 mA max at fmax (2.5 mA typ at 1 MHz) and standby is 7 µA max with automatic CE power-down. BLE/BHE byte enables support 8-bit writes and reads. It comes in a Pb-free 44-pin TSOP II package.

特性

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC: 2.2–3.6 V or 4.5–5.5 V
  • Standby 1 µA typ, 7 µA max
  • Active 2 mA typ @ 1 MHz
  • CE auto power-down current 1 µA
  • Byte write via BLE/BHE enables
  • Tri-state outputs via CE/OE/WE
  • Data retention at VCC = 1.0 V
  • ICCDR 0.8 µA typ, 3 µA max
  • I/O leakage ±1 µA (IIX, IOZ)
  • CIN/COUT max 10 pF

产品优势

  • 128K×16 simplifies parallel buses
  • 45 ns supports fast CPU access
  • 2 supply options ease reuse
  • 7 µA max extends battery standby
  • 2 mA @1 MHz cuts active power
  • Auto power-down saves idle energy
  • Byte writes reduce write bandwidth
  • Tri-state I/O eases bus sharing
  • 1.0 V retention preserves data
  • Low ICCDR reduces backup power
  • Low leakage improves sleep budgets
  • 10 pF I/O eases signal integrity

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区