CY62136ESL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136ESL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62136ESL-45ZSXI
CY62136ESL-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62136ESL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62136ESL-45ZSXI是一款2 Mbit（128 K×16）CMOS异步SRAM，45 ns访问时间，便于处理器接口。工作电压为2.2 V至3.6 V或4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至85°C。工作电流在fmax时最大20 mA（1 MHz典型2.5 mA），并支持自动CE断电，待机电流最大7 µA。BLE/BHE字节使能支持8位读写。采用无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，128K×16
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC：2.2–3.6或4.5–5.5 V
  • 待机1 µA典型，7 µA最大
  • 工作2 mA典型@1 MHz
  • CE自动掉电电流1 µA
  • BLE/BHE支持字节写
  • CE/OE/WE控制三态输出
  • VCC=1.0 V数据保持
  • ICCDR典型0.8 µA，最大3
  • I/O泄漏±1 µA(IIX,IOZ)
  • CIN/COUT最大10 pF

产品优势

  • 128K×16简化并行总线
  • 45 ns支持高速CPU访问
  • 双电源选项便于复用
  • 7 µA最大延长待机续航
  • 1 MHz下2 mA降低功耗
  • 自动掉电节省空闲能耗
  • 字节写减少写带宽占用
  • 三态I/O便于总线共享
  • 1.0 V保持确保数据不丢
  • 低ICCDR降低备份电源
  • 低泄漏改善睡眠功耗
  • 10 pF I/O改善信号完整性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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