CY62136FV30LL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136FV30LL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62136FV30LL-45ZSXI
CY62136FV30LL-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62136FV30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62136FV30LL-45ZSXI是一款2-Mbit（128 K × 16）CMOS异步SRAM，45 ns访问时间，适用于电池供电与嵌入式存储扩展。工作电压2.2 V至3.6 V，工业/汽车A温度范围−40°C至+85°C。低功耗特性包括1 MHz下典型1.6 mA工作电流，以及典型1 µA待机并带自动掉电。器件提供无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，128K×16
  • 45 ns读写周期时间
  • OE访问时间低至22 ns
  • 电源电压2.2 V到3.6 V
  • ICC典型1.6 mA@1 MHz
  • ICC最大18 mA@fmax
  • 待机电流典型1 µA
  • CE为高时自动掉电
  • 字节写使能BLE/BHE
  • 禁用时输出为高阻
  • 输入/输出漏电±1 µA
  • CIN/COUT最大10 pF

产品优势

  • 满足16位数据SRAM需求
  • 快速读写降低系统延迟
  • 更快OE加速异步读取
  • 适配2.2–3.6 V电源轨
  • 低工作电流节省能耗
  • 支持高频访问需求
  • 待机省电延长电池续航
  • 空闲自动降功耗
  • 支持8位字节更新减少传输
  • 简化多器件总线共享
  • 低漏电提升数据保持
  • 低引脚电容易满足时序

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区