CY62137FV30LL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62137FV30LL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62137FV30LL-45ZSXIT
CY62137FV30LL-45ZSXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62137FV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62137FV30LL-45ZSXIT是一款2-Mbit（128 K × 16）CMOS静态RAM，45 ns访问时间，面向电池供电与嵌入式系统。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围−40°C至+85°C，并在CE/BHE/BLE去使能时自动掉电。1 MHz时电源电流典型1.6 mA，待机典型1 µA（最大5 µA）。字节使能支持8位写入，I/O电容最大10 pF，Pb-free 44引脚TSOP II（ZS）。

特性

  • 2 Mbit SRAM，128K×16
  • 45 ns读/写周期
  • VCC工作范围2.2–3.6 V
  • 环境温度−40°C至+85°C
  • 1 MHz时ICC典型1.6 mA
  • fmax时ICC典型13 mA
  • 待机电流典型1 µA
  • 待机电流最大5 µA
  • 取消选择自动掉电
  • BLE/BHE字节使能(8位)
  • VCC=1.5 V数据保持
  • 1.5 V时ICCDR最大4 µA

产品优势

  • 16位总线提升带宽
  • 45 ns访问降低CPU等待
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • −40至+85°C适用严苛环境
  • 低工作电流降低能耗
  • 低待机延长电池续航
  • 自动掉电节省空闲功耗
  • 字节写入减少更新能耗
  • 高阻输出便于总线共享
  • 1.5 V保持模式保存数据
  • CE/OE控制简化扩展
  • 低漏电有助数据完整性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区