CY62138EV30LL-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62138EV30LL-45BVXI

数据手册
封装

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CY62138EV30LL-45BVXI
CY62138EV30LL-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62138EV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62138EV30LL-45BVXI是一款2-Mbit（256 K × 8）CMOS SRAM，45 ns访问时间，适用于高速并行存储。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，采用CE/OE/WE控制，支持CE自动掉电与三态I/O。ICC在1 MHz时典型2 mA、fmax时典型15 mA（最大20 mA），待机典型1 µA（最大7 µA）。MIL-STD-883 ESD > 2001 V。无铅36球VFBGA（6 mm × 8 mm）。

特性

  • 256 K×8 CMOS SRAM
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 待机典型1 µA, 最大7 µA
  • 1 MHz时典型2 mA有源电流
  • CE为高自动掉电
  • VCC=1 V支持数据保持
  • 1 V时ICCDR典型0.8 µA
  • CE/OE支持存储扩展
  • 未选通时输出高阻态
  • CIN/COUT最大10 pF

产品优势

  • 适配8位存储器总线
  • 45 ns满足高速CPU访问
  • 2.2-3.6 V兼容3 V电源
  • 1 µA待机延长电池续航
  • 低有源电流降低能耗
  • 自动掉电节省空闲功耗
  • 备份供电下保持数据
  • µA级保持支持断电保活
  • CE/OE简化存储扩展
  • 高阻态便于总线共享
  • 低电容改善时序与EMI

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区