CY62138FV30LL-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62138FV30LL-45BVXI

数据手册
封装

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CY62138FV30LL-45BVXI
CY62138FV30LL-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62138FV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62138FV30LL-45BVXI是一款2 Mbit（256 K×8）CMOS静态RAM，45 ns访问时间，适用于高速、低功耗数据缓冲。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，未选通时支持自动掉电。电源电流1.6 mA典型值（1 MHz），fmax时13 mA典型值；待机电流1 µA典型值、5 µA最大值。输出可通过OE三态控制。提供无铅36球VFBGA（BV）封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，256K×8
  • 45 ns读写周期时间
  • VCC范围2.2 V到3.6 V
  • ICC典型1.6 mA@1 MHz
  • 待机1 µA典型/5 µA最大
  • 未选通自动掉电
  • VCC=1.5 V支持数据保持
  • VCC=1.5 V保持电流≤4 µA
  • 18位地址总线A0到A17
  • 8位双向I/O0到I/O7
  • 双片选CE1与CE2
  • 未选通输出为高阻态

产品优势

  • 直接匹配8位MCU数据总线
  • 45 ns满足高速CPU访问
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源轨
  • 低ICC降低运行能耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 自动掉电减少空闲功耗
  • 1.5 V保持让休眠数据不丢
  • 低ICCDR降低保持耗电
  • 18位寻址便于地址映射
  • 高阻输出避免总线冲突
  • 双片选+OE便于扩展
  • 异步SRAM接口加快设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区